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RC正弦波振荡器的组成,工作原理详解-KIA MOS管
当信号通过RC网络时，电容器的电流超前电压90°，而电阻的电压和电流是同相位的。通过串联多个RC级，可以在输出和输入之间产生180°的相位差，从而形成正反馈，驱动振荡。www.kiaic.com/article/detail/5670.html 2025-05-15
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8104mos管,30a40vmos管,KNG8104A场效应管参数资料-KIA MOS管
KNG8104A场效应管漏源击穿电压40V，漏极电流30A，极低导通电阻RDS(开启) 12mΩ，最大限度地减少导电损耗；低电流、低功耗、开关速度快，高效低耗；100%经雪崩测试、提高dv/dt能力，稳定可靠，环保无铅；广泛应用于PWM应用、电源管理、负载开关等；封装形式：DF...www.kiaic.com/article/detail/5666.html 2025-05-14
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pwm控制场效应管,30a40v电压,KNY8104A参数引脚图-KIA MOS管
KNY8104A场效应管漏源击穿电压40V，漏极电流30A，极低导通电阻RDS(开启) 12mΩ，最大限度地减少导电损耗；低电流、低功耗、开关速度快，高效低耗；100%经雪崩测试、提高dv/dt能力，稳定可靠，环保无铅；广泛应用于PWM应用、电源管理、负载开关等；封装形式：DF...www.kiaic.com/article/detail/5669.html 2025-05-14
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分立式PWM发生器电路图,原理作用详解-KIA MOS管
PWM波形通常用于控制直流电机的速度。数字波形的占空比可以通过使用可调模拟电压电平（在基于 NE555 的 PWM 发生器的情况下）或使用二进制值进行数字定义。www.kiaic.com/article/detail/5668.html 2025-05-14
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PWM调速器电路图,直流电机pwm调速-KIA MOS管
①右旋旋钮，开关闭合，5V经过R2，D2和RP1(1-2)给C3充电，C3电压上升到触发电平后触发翻转；②触发翻转后7脚放电端对地导通，C3通过RP1(2-3)、D3和R4对地放电，C3电压下降到复位电平后触发翻转；www.kiaic.com/article/detail/5667.html 2025-05-14
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适配器充电器mos管,500V13A高压mos管,KNX6450B-KIA MOS管
KNX6450B是一款高压MOS管，漏源电压500V，漏极电流13A，RDS（ON）为0.35Ω；具备快速切换特性，实现快速切换电源，减少损耗；低栅极电荷、低反向传输电容、100%单脉冲雪崩能量测试，确保器件工作高效低耗，稳定可靠；KNX6450B场效应管在适配器和充电器的电源开...www.kiaic.com/article/detail/5266.html 2025-05-13
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40n120参数及代换,光伏逆变器场效应管,KGM40N120AI-KIA MOS管
40n120场效应管漏源电压1200V，漏极电流40A，具备高频、高温、高压特性，低VCE（sat），降低开关损耗；快速切换、高坚固性确保电路高效稳定；KGM40N120AI专为太阳能光伏逆变器、UPS电源、储能电源等应用设计，适合用于需要低功耗和高稳定性的电路中；封装形式：...www.kiaic.com/article/detail/5308.html 2025-05-13
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模电mos管,1200v3a,KND42120A场效应管参数引脚图-KIA MOS管
KND42120A场效应管漏源击穿电压1200V，漏极电流3A，具备高压和低导通电阻特性，提高系统效率；低导通电阻RDS(ON) 7Ω、低栅极电荷(17.5nC)最小化开关损耗；以及高速的响应能力提高切换速度，符合RoHS标准，快速恢复体二极管，确保性能稳定可靠，适用于适配器、...www.kiaic.com/article/detail/5314.html 2025-05-13
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60nf06参数代换,逆变器mos管,KND3306B场效应管资料-KIA MOS管
60nf06代换型号KND3306B场效应管漏源击穿电压68V，漏极电流80A，低导通电阻RDS(on)=7mΩ@VGS=10V，能够减少导电损耗，最小化开关损耗；具备高雪崩电流、开关速度快、耐冲击特性好，坚固可靠；提供环保无铅绿色设备，在电机控制、锂电池保护板、逆变器中高效稳定...www.kiaic.com/article/detail/5329.html 2025-05-13
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21n50参数及代换,大功率mos管,KIA20N50HF参数资料-KIA MOS管
21n50场效应管代换型号KIA20N50HF漏源击穿电压500V，漏极电流20A，低导通电阻RDS(on)0.21Ω，低栅极电荷（典型值为70nC），减少导电损耗，最小化开关损耗；具备快速切换能力、指定雪崩能量、改进的dvdt功能，稳定可靠；高效率低损耗，专为高压、高速功率开关应...www.kiaic.com/article/detail/5332.html 2025-05-13
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50n06场效应管,60v50a,60vmos管,KIA50N06BD资料-KIA MOS管
KIA50N06BD场效应管漏源电压60V，漏极电流50A，低导通电阻RDS(ON)10.5mΩ；具有低Rds开启，低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗；高雪崩电流，能够承受较高的电压脉冲，提高可靠性，确保在应用中高效稳定；无铅绿色环保，适用于适配器、开关电源、UPS电源、车载...www.kiaic.com/article/detail/5357.html 2025-05-13
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ao4407a,ao4407参数,ao4407a引脚图功能-KIA MOS管
ao4407参数漏源电压（Vdss）?：30V?连续漏极电流（Id）?：12ARDS(ON) (at VGS =-10V)< 14m??栅源极阈值电压?：2.8V @ 250uA?最大功率耗散?：3.1Wwww.kiaic.com/article/detail/5388.html 2025-05-13
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保护板mos管,无刷电机mos,30v150a,KIA2803AB场效应管参数-KIA MOS管
KIA2803AB场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流150A，采用先进的沟槽工艺设计，极低导通电阻RDS(on)=2.2mΩ，低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗；具有快速切换、100%雪崩测试、允许高达Tjmax的重复雪崩、无铅，符合RoHS标准，在锂电池保护板、...www.kiaic.com/article/detail/5390.html 2025-05-13
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AD30P30D3替代,-30v-100a,电机驱动pmos,KPY3203D参数-KIA MOS管
KPY3203D场效应管漏源击穿电压-30V，漏极电流-100A，采用先进的高细胞密度沟槽技术，极低的导通电阻RDS(on)=3.5mΩ，超低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗；100%EAS保证、CdV/dt效应显著下降，高效稳定，绿色设备可用，符合环保要求，专用于电...www.kiaic.com/article/detail/5400.html 2025-05-13